回复电子大世界:核反应堆监测新“武器”!点赞
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7 月 3 日消息,美国能源局橡树岭国家实验室近日研究显示,氮化镓 (GaN) 半导体承受核反应堆辐射的能力远超传统硅材料,有望用于反应堆监测传感器的电子器件。 目前,由于强烈核辐射的影响,反应堆监测传感器收集的数据无法直接由硅电子器件在本地处理,而必须通过长电缆传送至辐射较弱的区域。这一过程可能引入噪声,影响数据准确性和精度。 尽管GaN理论上具有良好的抗辐射性,但此前科学家仅测试了其在太空电离辐射环境下的表现,未探究其在核反应堆中子辐射环境中的性能。橡树岭实验室的研究团队在高温条件下对GaN晶体管进行了为期三天的辐照测试,结果表明,GaN能承受的累积辐射剂量至少是标准硅器件的100倍。进一步测试后,团队确认GaN晶体管可在核反应堆环境中连续使用至少五年,符合反应堆的正常维护周期。 研究还发现,较大规模的GaN器件对热的敏感性超过了对核辐射的敏感性,这为将来的研究提供了新的方向,并为将GaN实际用于核反应堆监测做了更多准备。