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核反应堆监测新“武器”!新型氮化镓器件能承受的辐射剂量是标准硅器件的100倍

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 7 月 3 日消息,美国能源局橡树岭国家实验室近日研究显示,氮化镓 (GaN) 半导体承受核反应堆辐射的能力远超传统硅材料,有望用于反应堆监测传感器的电子器件。

目前,由于强烈核辐射的影响,反应堆监测传感器收集的数据无法直接由硅电子器件在本地处理,而必须通过长电缆传送至辐射较弱的区域。这一过程可能引入噪声,影响数据准确性和精度。

尽管GaN理论上具有良好的抗辐射性,但此前科学家仅测试了其在太空电离辐射环境下的表现,未探究其在核反应堆中子辐射环境中的性能。橡树岭实验室的研究团队在高温条件下对GaN晶体管进行了为期三天的辐照测试,结果表明,GaN能承受的累积辐射剂量至少是标准硅器件的100倍。进一步测试后,团队确认GaN晶体管可在核反应堆环境中连续使用至少五年,符合反应堆的正常维护周期。

研究还发现,较大规模的GaN器件对热的敏感性超过了对核辐射的敏感性,这为将来的研究提供了新的方向,并为将GaN实际用于核反应堆监测做了更多准备。

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回复电子大世界:展望未来,科学家希望对 GaN 电路是否支持在反应堆中无线传输来自传感器的数据进行进一步探索。

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