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半导体行业迎变革:三星引领钼应用,加速Mo沉积设备部署

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三星在其第 9 代 V-NAND 的“金属布线”(metal wiring)中首次尝试使用钼(Mo)。其中金属布线工艺主要是使用不同的方式连接数十亿个电子元器件,形成不同的半导体(CPU、GPU 等),可以说是“为半导体注入了生命”。

消息人士称三星公司已从 Lam Research 公司引进了五台 Mo 沉积机,此外还计划明年再引进 20 台设备。

除三星电子外,SK 海力士、美光和 Kioxia 等公司也在考虑使用钼。和现有 NAND 工艺中所使用的六氟化钨(WF6)不同,钼前驱体(molybdenum precursor)是固态,必须在 600℃ 的高温下才能升华直接转化为气态,而这个过程需要单独的沉积设备。

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回复芯圈那些事:三星正在其第9代V-NAND的金属化工艺过程中应用钼(Mo)。 消息人士称,三星已从泛林集团引进5台钼沉积机用于该工艺,并且计划明年再引进20台此类设备。

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