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物理学家利用高分辨率显微镜和超快激光开发出一种突破性技术，可精确识别半导体中的缺陷。这种新方法在纳米级元件中尤其有效，能够观察到原子缺陷周围电子运动的前所未有的细节，极大地推动了半导体物理学领域的发展，并为石墨烯等材料带来了新的可能性。
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