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MIT科学家开发出超薄半导体,电子速度飞跃提升!

 新材向荣

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美国麻省理工学院等机构的科学家成功研制出新型超薄晶体薄膜半导体,厚度仅100纳米,电子迁移速度高达传统半导体的7倍。这项研究有助于制造新型高效电子设备,包括自旋电子设备和可穿戴热电设备。研究团队计划进一步改进制作过程,使薄膜更纤薄,相关论文发表于《今日材料物理学》杂志。

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回复新材向荣:我们已开辟出一条新途径,能用许多不同于硅的材料制造柔性电子设备。

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