东芝半导体新革命老品牌注入新生命

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说实话，东芝半导体这几年走得有点磕磕绊绊。但正是从这一路深深浅浅的脚印里，让我们从另一个角度审视到了他特有的一种韧性与求索。

存储独立：东芝半导体的新革命

最近，东芝Memory即将拆分独立的新闻引来的业界的高度关注。在刚刚结束的2017年上海慕尼黑电子展上，东芝电子(中国)有限公司董事长田中基仁先生就此事做了正面回应。田中基仁表示，东芝在全球半导体行业中的排名大约第七位，如果加上半导体存储这部分，排名大约是第五位。并且最近这一年东芝半导体和存储业务创造了销售和盈利新高，发展前景很好。预计2016年度整个东芝盈利会达到3160亿日元左右。这在东芝140多年的历史上，是利润第二高的年份。但非常遗憾是，由于2016年度美国西屋公司核电项目的预估损失，对东芝公司的财务造成巨大影响，到2017年三月底有资不抵债的可能性。

基于这一风险，公司已经决定将东芝Memory部门进行分割。预定3月30日，会在东京召开东芝临时股东大会，如果得到临时股东大会的批准，那么4月1日东芝Memory就独立成一家新的公司。新公司是由东芝100%的控股，至少在今后一年的时间里面，将以东芝Memory独立品牌形象面向市场。后续将会引入外部投资资本。

迎来3D Memory化 64层BiCS FLASH为老品牌注入新生命

作为东芝半导体的传统核心业务，存储产品线一直是大家关注的焦点。随着物联网时代的到来，以及以手机为主的移动互联网发展，包括图像视频的业务增长发展，整个市场对闪存容量的需求量会越来越高，预计到2020年整个闪存容量增长将是2016年的四倍左右，增长率大概在40%。除了对容量的要求以外，同时还要求有更快的数据读写能力以及低功耗。针对上述容量读写速度以及低功耗要求，3D NAND Flash非常好的解决了这些需求。与2D Memory相比3D Memory有更高的密度，所以它有更小的体积、更优势的成本。

从技术上看，三星、海力士、东芝、英特尔、美光等各家采用的技术架构并不相同，三星用V-NAND，东芝和闪迪用BiCS，三者均属于Charge Trap Flash(CTF)技术，而英特尔是Floating Gate(FG)技术，这些技术各有优势。

技术和市场相结合，三星、东芝走在3D Memory的前列，64层的3D NAND均已进入市场产量。东芝新一代BiCS FLASH采用64层堆叠工艺，结合了TLC技术并实现了512层Gb的容量。通过16-die 堆叠式结构实现了1TB容量的单一封装，第二代Memory相比，新一代产品整个单位面积容量增长了65%以上，计划于4月批量出货。

为了迎合市场需求，东芝决定通过及时扩大BiCS FLASH生产以提升其在存储器业务领域的竞争力，开始建造全新的工厂Fab 6，一期工厂预计2018年夏季完成。并在四日市工厂建立全新的研发中心，预计2017年底竣工。

对于目前市场关注的因2D转3D 工艺衔接不畅造成了NAND Flash严重缺货问题，田中基仁向记者表示，按照整体计划2017-2018年是东芝的3D Memory化年，2017年整个生产3D Memory的份额大概占到50%，到2018年90%的产能均来自3D Memory。因为随着需求增长目前整个Memory产能供给量不足并导致价格上涨，闪存厂商都在花大力气投入3D闪存，随着投资和3D闪存量产的提高，今后大容量的闪存供给情况会有所改善，但是小容量8G、16G闪存供求紧张状况可能还会持续。

从应用层面来看，除消费电子领域之外，车载、数据中心等将会是3D Memory非常有前景的领域。田中基仁向记者表示，随着车载娱乐系统包括车联网以及ADAS的普及，现在汽车里面使用的内存越来越多，我们预计到2020年整个车载的Memory使用量会大幅增加。针对车规要求我们提供85度及105度温度工作范围的芯片，eMMC这些产品都广泛应用到车载，只要是客户需要大容量的eMMC或者MMC的话肯定会需要3D Memory，不然成本上会很高。

大家可能都知道，PC里面用的HDD产品东芝有非常高的市场份额，现在随着PC出货量的减少，HDD市场份额也会相应减少，东芝从战略层面已经面向数据中心服务器用的eSSD产品进行部署。现在数据中心切换到固态硬盘的进程还是很快的，3D Memory也将广泛应用到SSD里面，随着SSD硬盘采用3D Memory会很自然进入到数据中心领域。现在中国整个服务品牌数大概占到全球的20%左右，今后还会不断的增长，所以东芝非常重视这个市场。下图中这个金字塔是硬盘和存储使用的应用分布，东芝会重点在金字塔上端的SAS接口和SATA接口企业级硬盘领域，东芝新推出的支持PCI接口的固态硬盘，和原来产品相比性能提高了2-3倍，已应用在华为等客户的服务器中。