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SK海力士明年将量产400层NAND闪存

 电子芯技术

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据报道,SK海力士正在开发400层堆叠的NAND闪存,将于2025年投入大规模量产,再次遥遥领先。

为了达成如此密集的堆叠,SK海力士使用了所谓的4D NAND闪存、混合键合技术,也就是W2W(wafer-to-wafer)结构,将两块晶圆键合在一起,和目前将闪存单元置于外围驱动电路之上的PUC结构截然不同。

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