回复电子分析员：不量产的话，什么技术都没用
电子分析员
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近日，鸿海研究院半导体所所长暨阳明交通大学讲座教授郭浩中及半导体所研究团队，携手阳明交大电子所洪瑞华教授团队，在第四代化合物半导体的关键技术上取得重大突破。研究成果提高了第四代半导体氧化镓在高压、高温应用领域的高压耐受性能，并已发表于国际顶级材料科学期刊Materials Today Advances（MATER TODAY ADV）。 本次研究Heteroepitaxially Grown Homojunction Gallium Oxide PN Diodes Using Ion Implantation Technologies，导入离子注入技术于异质磊晶生长的同质结氧化镓PN二极管组件中，结果展示出优异的电性表现。氧化镓(Gallium Oxide,Ga2O3)在高压及高温应用领域的强大潜力，为未来高功率电子组件开辟了新的可能性。
