回复芯想事成：随着集成电路工艺进入深亚微米阶段，后端的金属互连大多采用铜互连技术。
芯想事成
下载贤集网APP入驻自媒体
随着接触孔的尺寸缩小，使用PVD来溅射铜来填充时，会出现填充不完全（空隙）的问题。因此使用CVD工艺来填充非常狭窄的孔。晶圆厂一般用WF6作为原料，与H2或硅烷反应，沉积钨金属。铜在高温下容易扩散到硅中，导致器件失效。虽然一般会有TiN作为阻挡层，但在极端条件下，TiN仍不足以完全阻止铜原子的扩散。
