GaN器件关断时间很长可能是由于栅极驱动不足或栅极电阻过大引起的，需要检查驱动电路是否提供足够的驱动电流。
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难住了！移相全桥电路，MOS管驱动采用变压器驱动。母线设计600V，用的是IMW120R030M1H管子，耐压1200V。当输入电压不断增加时，MOS管GS驱动信号出现尖峰；没有输入电压时，GS信号最大值15V，输入500V时，GS最大值17V；输入525V时，GS最大值达到了19V。测量的滞后桥臂，上下管都一样。MOS驱动电路设置了双向 稳压二极管15V限压 BZT52C15 ，后改为双向15V的瞬态抑制二极管 ，加了一次550V电压输入，管子还是挂了。MOS管GS耐压只有20V，推荐工作电压15V，实际母线电压加到535V，可以工作起来；加到550V，滞后桥臂的两个管子和超前臂的上管 GS端都短路了。很困惑，烧管子的原因是什么呢？自己思考了两点可能 1、 MOS管GS两端峰值电压超过了20V，（加了15v的双向TVS，还是没保护住），2、MOS管实际使用超过1200V的电压。按理说MOS管不可能出现这么高的电压。求教老师：这个烧管子问题，究竟是什么原因，该怎么解决？
