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三星计划2026年量产400层NAND芯片

 芯闻速递

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据《韩国经济日报》获得了这家韩国科技巨头的存储芯片发展路线图显示,三星负责半导体业务的设备解决方案(DS)部门计划首先在2026年生产至少400层单元垂直的垂直NAND,以最大限度提高容量和性能。目前,三星量产286层高容量V9 NAND 芯片。

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回复芯闻速递:哇,三星这技术进步得真快啊!400+层的V-NAND听起来就很高大上,期待它在存储方面的表现能带来革命性的变化。
回复芯闻速递:我记得之前长江存储也推出了类似的技术,看来各大厂商都在努力提升存储密度啊。话说回来,这种高技术产品普通人能用得上吗?
回复芯闻速递:三星这次的技术革新听起来很有意思,VCT结构在DRAM内存中的应用不知道能否真的减少干扰,提升性能呢?

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