简单来说MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOSFET漏源之间，导致的一种失效模式。简而言之就是由于就是MOSFET漏源极的电压超过其规定电压值并达到一定的能量限度而导致的一种常见的失效模式。
无雨歌
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哪里有问题啊，为啥PFC MOSFET失效？最近做一个800w的PFC，用铁硅磁环绕制的PFC电感，正常稳定带载下各个指标参数还是比较令人满意的（PF值、谐波、电感温升、管子温升等），但是就是偶尔会碰到上电启动瞬间莫名其妙炸管的情况，觉得要使得MOSFET炸管，无非Vgs超标、ds电压超标、电感饱和或者异常工况导致的Id超标、还有就是运行过程中散热处理不好导致的热失效这几种情况吧。但是从我目前遇到这个情况来看，Vgs驱动电压是15V专用驱动芯片出来的比较稳定；ds电压尖峰也不高500V左右，用的管子耐压是650V的；散热处理不好导致的热失效更谈不上了因为都基本是上电开机瞬间，所以综合看来是Id失效导致的可能性居多。针对这个Id失效，做了以下相关措施，芯片CS电流采样引脚RC滤波标准220R+1nF电容组合，RC响应时间为220ns，确保PWM调制过程不丢波，在满载输出情况下输入电压降到176VAC时SOC（soft over current）和PCL（peak current limit）也起到了相关作用，从输入电流波形以及PFC输出电压下跌看得出来，从而确保电网异常或者其它导致的电感饱和情况下能迅速OFF PWM输出。最后，频繁开关机也测试过了，间隔0.5S每次的输入电网ON/OFF，没有什么异常。 请问：为什么依然会碰到以上炸管情况？高压探头放在管子DS之间，黄色为电压DS波形；电流探头探测的是母线取样合金电阻的电流波形（已经反相处理），蓝色为电流波形，包含了流过管子的Id输入交流220VAC上电后对电解电容预充到310VDC左右，约4S后吸合NTC继电器并打开PFC，如图波形，求解惑！
