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这是啥情况？IGBT 频繁烧毁，表面无现象，但是3...

谢主龙恩

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这是啥情况？IGBT 频繁烧毁，表面无现象，但是3脚全通！使用IGBT用做电子开关，需要放电时，导通IGBT，放电结束就关闭IGBT。目前经常出现IGBT被烧毁的情况出现。但是把IGBT拆下来看表面没有任何异常，就是但是用通断档量三个引脚，有时是CE两脚通，有时是GCE三脚全通。IGBT是安森美（ON）的，耐压是1200V，常温下电流能达到25A，但设备工作时电流只有12A左右。感觉不是过压烧毁的，但是又不知道怎么解决？求指教！

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2024-11-06 23:34:08

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以菱

听说IGBT要负压关断，你要用双电源才可靠。或改用MOSFET

我自找

首先是栅极电阻过大阻值改为50欧以下最为关键的是igbt元件的关断需要负压才行参考一下变频器的驱动电路就一目了然了

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电路有点问题：1、C37C38不宜那样接，快速开通时，上面的高压储能能量足以烧坏IGBT。2、钳位不当，负载有感性成分（或者引线太长）时，快速关断时都可能引发高压击穿IGBT解决办法：1、首先找到km+与km-之间的滤波电容，你没画出来，但一定有的，如果有几个，找出容量最大那个，以它的位置布置你的电路2、如果它的位置较远，不方便你布置电路，那你需要找一个同样的电容C1就近布局3、现有电路拿掉C37、C38、D214、增加一个普通二极管（比如A10），与IGBT、C1三个元件形成最小回路

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没有采用负压关断，有可能导致IGBT无法关掉。

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驱动增加一级三极管图腾才行，你这个驱动关闭时候无法形成放电回路，还有12A持续电流使用25A IGBT是不可靠的。至少的40-60A级导通压降1.9V左右，12A 发热功率20多瓦，需要很大散热片或者较大散热片风冷才行

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我理解IGBT损坏原因是不是在IGBT导通时，C37,C38储能释放，IGBT导通时低阻抗导致过流损坏。可以对C37或者C38飞线，量测导通时是否有电流尖峰。

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看分析，基本可以确认是过流损坏。1200V的IGBT，比较少过压，除非你的电压达到1000V以上了。负载是PTC，放电后负载过电流，电阻变大，IGBT不会过流，所以过流应该是开通瞬间造成的。驱动电阻大了一些，刚开始放电时，IGBT没完全导通，PTC阻值又是最小，这时电流最大，管子热量瞬间散不出去，马上就烧。至于IGBT上的2个电容，开通瞬间，负载是给电容充电的，此时对IGBT过流影响不大。IGBT完全导通后，电容电压钳位为IGBT的导通压降。所以关断的时候电容压降很小。我觉得也问题不大。我们用MOS的时候也会并谐振电容。建议：驱动电阻修改带24Ω。驱动能加个图腾柱最好。IGBT和散热片之间如果有绝缘片，选材质好点的。同等价格的绝缘片有时候管芯温度能差20多℃。更好的撒热方案是铝散热片和管子之间加一层铜箔，导热速度快。

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这个电路参数选择这型号IGBT就是错误。换成IKW25T120就没事了。

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我觉得是过压击穿。IGBT都是驱动感性负载，DI/DT值不大，加点吸收就不会有大的电压尖峰。楼主是带的其它负载，一定会有很大的di/dt ，往往是IGBT失效的主因。解决问题就是减小di/dt,让IGBT开断慢下去。加大R66即可。改成200R以上，甚至更大，然后再R71并上103电容。

你若在

1. 负载到IGBT的寄生感抗需要考虑，在负载接个续流二极管。2.最好更换IGBT为MOSFET