求助，关于去饱和保护的问题恳请高手赐教！如图，下面...-贤集微头条

求助，关于去饱和保护的问题恳请高手赐教！如图，下面...

江布拉克

下载贤集网APP入驻自媒体

求助，关于去饱和保护的问题恳请高手赐教！如图，下面是看到TI设计资料里的一部分，是一款IGBT驱动芯片，其中在去饱和保护设计时，有这么一段说明：“在开关感性负载时，会导致IGBT续流二极管上出现较大的瞬时正向电压变化，这会使得DESAT引脚上出现较大的负电压尖峰，会从器件中消耗大量电流。为了将这些电流限制，可用一个100-1000Ω的电阻和DESAT二极管GL41Y串联，再选用一个肖特基二极管MM3z12vb，效果更好，可以确保在低电平下，把DESAT输入钳位到GND”。所说的肖特基二极管D2和R1连用，限制尖峰引起的电流，是什么工作原理？下图全桥中，当要导通上管时，u点相当于是地，但是下管不同，u点是悬浮的，如何确定？求详解！

返回微头条首页

2024-11-10 21:55:45

最新回复

发布回复

我在努力

有这样用的，弥补芯片的功能缺陷。

眉眼如画

不是这么说的，这是两个问题：1、C1、C2、R1、D3、D4组成的是退饱和保护电路，主要是为了防止Ids瞬时突变到Irms的6-7倍（分析上下管直通的情况会好理解些）时，通过DESAT的功能来切断驱动波形；C1C2来调节消隐时间，R1的作用类似；D3D4之所以用两个二极管主要是耐压的问题，现在一般1个二极管就够了；2、负尖峰，即Vds<0，DESAT内置的电流源会流经Vds的环路，加D1D2可以减小电流源的负担，问题也来了，二极管会引入结电容，会加长消音时间。

若翾

上管驱动是浮地驱动，UG+的信号是相对于U点的，而不是相对于NE

晚归故人

R1和D1/2的作用是钳位DESAT的负压。主管导通的时候D3/4的寄生电容会由于很高的du/dt产生位移电流，该位移电流会给C1/2反向充电，所以需要并联D1/2以限制DESAT的负压。第二个问题，通常上管会有独立的驱动芯片，其高边供电也是和下管驱动芯片隔离的。不然，则需要用电荷泵功能提供高边驱动电压。