在进行DAB（双有源桥）相关的实验时，移相控制是关键技术之一。GaN器件因其高频特性适用于高频率应用，可以减少开关损耗并提高效率。
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难住了，求教老师一个双全桥移相问题！目前在做DAB相关的实验(传统DAB结构)，用到的是GaN器件，频率暂定为500K，传输功率为400V。两个H桥之间的移相没有体现出来，得到的波形如下图所示：蓝色是原边H桥的输出，浅蓝色是副边H桥的输出，绿色为副边H桥输出电流。从图中可以看出，移相角没有体现出来，加大漏感值，得到图二这样的波形，继续加大电感，得到图三这样的波形。这个平台有向下移，但是震荡比较大，所以不太懂电感在这里所起的作用？ 另，原边H桥的额定输入是在400V，我加到100V左右的时候，就出现炸管，炸管的图片如下图。经测试gs之间发生短路了，而ds没有短路。一直没有弄懂电压怎么加不上去，炸管的原因是什么？求指点迷津！
