导致MOS管发热严重的四个主要原因：电路设计问题：MOS管工作在线性状态而非开关状态，例如NMOS做开关时，其G级电压需比电源高几V才能完全导通，而P-MOS则相反。如果没有完全打开而压降过大，会造成功率消耗，等效直流阻抗较大，导致压降增大，最终使得UI增大，产生更多的损耗，从而发热。使用频率太高：过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大，因此发热也加大了。散热设计不足：电流太高时，MOS管标称的电流值通常需要良好的散热才能达到。如果ID小于最大电流，也可能导致发热严重，这时可能需要足够的辅助散热片。MOS管选型错误：对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大，这也是导致MOS管发热的一个原因。
