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印度出息了,居然开发出4英寸碳化硅生长技术

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11月11日,印度国防研究与发展组织(DRDO)下属的固体物理实验室已成功开发出本土一种工艺,可以生长和制造直径为4英寸的碳化硅(SiC)晶片。此外,他们还已制造出功率高达150W的氮化镓(GaN)HEMT以及功率为40W的单片微波集成电路(MMIC),这些器件能够在最高X波段频率的应用中发挥作用。

印度国防部表示,SiC/GaN技术是国防、航空航天和清洁能源领域下一代应用的关键推动因素。这类先进技术可提高器件效率、减小尺寸和重量,并增强性能,使其在未来作战系统、雷达、电子战系统和绿色能源解决方案发挥重要作用。

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