反向饱和电流（PN结结面附近少数载流子分布差异造成的扩散电流），或者是施加较高反向偏压时PN结耗尽区内由于强电场而产生的电子-空穴对引起的漏电流，以及短沟道器件的源-漏串通电流。另外，漏极重掺杂区也会产生带间隧穿电流，5V以下的MOS，由于源漏掺杂浓度很高，带间隧穿电流甚至成为漏电流的主要来源。
小新1992
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不管三极管（Q2）导通和强制关闭输出一致，无法使得三极管起到开关作用，请问该三极管在此电路中具体产生漏电源的原因及解决方法
