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三星3D NAND闪存生产工艺大突破,可节省一半光刻胶用量

 电子放大镜

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据韩国媒体The Elec报道,三星电子在生产3D NAND闪存方面取得重大突破,在光刻工艺中大幅缩减了光刻胶(PR)用量,只使用以前一半的光刻胶。减少光刻胶的使用量对三星电子来说,是一项节省成本的措施。

报道称,此前每层涂层需要7—8cc的光刻胶 ,而三星电子通过精确控制涂布机的转速(rpm)以及优化光刻胶涂层后的蚀刻工艺, 现在只需要4—4.5cc 。

三星电子还引入了更厚的氟化氪(KrF)光刻胶。通常情况下,一次工艺只能形成一层涂层,但使用更厚的光刻胶后,三星能够一次形成多个层,从而提高了工艺效率。

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