回复汤圆爱科技：戒严别生产了，大统领尹锡悦思密达
汤圆爱科技
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据媒体报道，三星即将在国际固态电路会议（ISSCC）上展示其最新的第10代超过400层3D NAND Flash，接口速度可达5.6 GT/s。 三星的这一新一代V-NAND保持了TLC（三级单元，或每个单元3位）架构，每个芯片的容量为1Tb（128GB）。 三星声称，其新的超400层3D TLC NAND Flash的存储密度达到了28 Gb/mm²，略低于其1Tb 3D QLC V-NAND的28.5 Gb/mm²，后者是目前世界上存储密度最高的NAND Flash。此外，三星第10代V-NAND的接口速度达到5.6 GT/s，明显快于长江存储的3.6 GT/s。
