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为换回市场信心,Intel展示多项半导体新技术

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Intel发文介绍了在IEDM 2024(2024年IEEE国际电子器件会议)上展示的多项技术突破。

在新材料方面,减成法钌互连技术(subtractive Ruthenium)最高可将线间电容降低25%,有助于改善芯片内互连。

Intel代工还率先展示了一种用于先进封装的异构集成解决方案,能够将吞吐量提升高达100倍,实现超快速的芯片间封装(chip-to-chip assembly)。

此外,Intel代工还展示了硅基RibbionFET CMOS (互补金属氧化物半导体)技术,以及用于微缩的2D场效应晶体管(2D FETs)的栅氧化层(gate oxide)模块,以提高设备性能。 

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