回复微电路观察：哟呵，芯星在这领域又有新成果啦，不错。
微电路观察
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超芯星公开一项“一种碳化硅晶体的生长方法及生长装置”专利，申请公布号为CN119061469A，申请日期为2024年8月29日。该专利摘要显示，本发明提供一种碳化硅晶体的生长方法及生长装置，属于碳化硅晶体生长领域。碳化硅晶体生长装置包括长晶炉体，长晶炉体内设置有单侧开口的石英管，石英管的开口端部密封安装有密封件；石英管的生长腔室内设置有坩埚组件，坩埚组件具有第一腔室和第二腔室，第二腔室位于第一腔室的内侧；坩埚组件具有进气口、进气通道、出气口和出气通道，进气通道的进气端连通气源，气源和密封件之间的管路上设置有电动针阀；出气通道的出气端连通真空泵，真空泵和密封件之间的管路上设置有电动球阀；密封件上开设有测压孔，用于外接真空计，真空计连接PID控制器的输入端，用于调控生长腔室的压力；长晶炉体外接有真空系统。
