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三星已成功开发400层NAND Flash闪存,超越SK海力士

 科技果汁

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据媒体报道,三星已成功开发出突破性的400层堆叠NAND Flash闪存技术,并已开始将该技术转移到大规模生产线。这一进展有望超越前不久已宣布量产321层NAND Flash的SK海力士。

三星计划在2025年国际固态电路会议(ISSCC)上详细介绍其1Tb容量400层堆叠TLC NAND Flash闪存,并预计于2025年下半年开始量产。

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