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台积电首次披露2nm工艺相关信息

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IEDM 2024大会上,台积电首次披露了N2 2nm工艺的关键技术细节和性能指标:对比3nm,晶体管密度增加15%,同等功耗下性能提升15%,同等性能下功耗降低24-35%。台积电2nm首次引入全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管,有助于调整通道宽度,平衡性能与能效。

新工艺还增加了NanoFlex DTCO(设计技术联合优化),可以开发面积最小化、能效增强的更矮单元,或者性能最大化的更高单元。此外还有第三代偶极子集成,包括N型、P型,从而支持六个电压阈值档(6-Vt),范围200mV。

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