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MIT成功开发出无需硅晶圆基底也能堆叠多层芯片的技术

 E子

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计算机芯片的晶体管密度正逐步接近物理极限,传统方法已难以在芯片表面继续增加更多晶体管。因此,芯片制造商开始将目光投向垂直叠加的全新方向,而不再局限于平面扩展。

对此,MIT 工程师开发了一种无需硅晶圆基底的全新多层芯片制造技术。这种方法在低温条件下完成,能够保护底层电路的完整性,并突破传统硅基底带来的限制。目前,这项研究成果已发表在 Nature 上。

研究团队展示了一种高质量半导体材料直接堆叠的多层芯片原型。这项技术使工程师可以在任意晶体表面上制造高性能的晶体管、存储器和逻辑元件,完全摆脱了传统硅晶圆基底的束缚。没有这些厚重的硅层,各半导体层之间的直接接触变得更加紧密,从而显著提升层间通信和整体计算速度。

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回复E子:芯片晶体管密度快到极限,MIT 这个垂直叠加的新招儿不错啊
回复E子:传统芯片制造不行了,MIT 工程师另辟蹊径,在低温下造多层芯片,这脑子咋这么好使
回复E子:这多层芯片原型听起来就高级,直接摆脱硅晶圆基底
回复E子:MIT 这项研究成果登上 Nature 了,这新制造技术能让半导体层紧密接触,芯片速度不得起飞咯
回复E子:芯片制造商可算找到新方向了,MIT 这个无硅晶圆基底的技术,是不是能降低成本呢

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