回复智者先行：创新方法和新颖技术的结合，让曾经难以实现的目标成为了现实，真是振奋人心
智者先行
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1月5日，芬兰阿尔托大学研究团队在红外传感器领域取得重大突破，开发出基于锗材料的光电二极管，灵敏度比现有锗基传感器高出35%，有望提升红外设备性能、降成本、提效率并减少环境与健康危害，成果发表于《光：科学与应用》期刊。 当前市场红外光电二极管传感器常用铟镓砷（InGaAs）材料，其成本高、有毒致癌、与CMOS工艺不兼容，增加集成复杂性。阿尔托大学团队选用锗材料，虽其此前因难捕捉大部分红外光未成主流，但团队用创新方法克服该限制，通过结合多种新颖技术，如利用表面纳米结构消除光学损耗、减少电学损耗来实现高性能。 研究团队开发概念验证设备测试其捕捉红外光子能力，结果显示设备性能远超预期，光谱响应率接近理想水平，能在宽波长范围检测约90%光子，且响应率（灵敏度）优于商用InGaAs光电二极管及其他锗基传感器，期待这种高效环保的红外传感器早日投入市场减少InGaAs传感器的负面影响。
