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格力电器获得碳化硅器件专利授权,可提高碳化硅肖特基半导体器件的工作效率

 汤圆爱科技

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近日,格力电器获得一项实用新型专利授权。专利名为“碳化硅肖特基半导体器件及其制造方法”,专利申请号为CN202010940924.5,授权日为2025年2月7日。

专利摘要显示,本发明涉及一种碳化硅肖特基半导体器件及其制造方法,其包括第一电子型半导体层、第二电子型半导体层、第一空穴型半导体层、第二空穴型半导体层、第一阳极结构、第二阳极结构和阴电极层。其中,第一阳极结构设置在第二电子型半导体上,第二阳极结构设置在第二空穴型半导体层上,第一电子型半导体层的掺杂浓度大于第二电子型半导体层的掺杂浓度,第一空穴型半导体层的掺杂浓度小于第二空穴型半导体层的掺杂浓度。

该碳化硅肖特基半导体器件及其制造方法可以解决现有碳化硅肖特基半导体器件难以在降低正向工作电压的同时提高击穿电压的问题,进而降低碳化硅肖特基半导体器件正向导通的损耗,提高碳化硅肖特基半导体器件的工作效率。

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回复汤圆爱科技:不得不说,格力在技术研发上一直很给力,这次的专利肯定能带来不少好处

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