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长鑫存储首款DDR5芯片将采用16nm工艺

 电子放大镜

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据韩国媒体报道,长鑫存储(CXMT)正在加速开发下一代DRAM技术,其并未按原计划为首款商用DDR5产品采用的17nm,而是直接采用了16nm制程技术。

下一代15nm制程技术也在现有制程基础上进行开发中,目标是在2025年内开发出该技术,并最快在2026年下半年就能达成商业化的目标。

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回复电子放大镜:长鑫这次确实牛,但别忘了DUV光刻机精度上限摆在那,想继续突破制程,EUV光刻机才是王道,不然早晚还得被“卡脖子”。

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