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富加镓业申请氧化镓晶体生长技术专利:生长过程更高效、更准确

 电子放大镜

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富加镓业成功申请了一项名为“一种氧化镓晶体的生长控制方法及生长装置”的专利,核心是针对氧化镓晶体生长过程中的多个控制参数进行优化和自动化设置。

专利摘要内容显示,具体的控制参数包括引晶控制参数、缩径控制参数、放肩控制参数和等径控制参数。这些参数的好坏直接影响到晶体的质量、成品率和稳定性。通过引晶控制参数,富加镓业能够有效调节生长炉内的气氛和温度,保证晶体的初步生长事宜。接着,缩径控制和放肩控制能够在不同生长阶段继续优化晶体的形状和直径,最终实现晶体在直径上的一致性。这一技术的应用,不仅减少了人工操作的介入,也有效降低了生产过程中的误差,从而提升了生产的稳定性与一致性。

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