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印度拨款 33.4 亿卢比用于氮化镓技术研发

 科技观察

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外媒报道,印度信息技术部长阿什维尼·瓦伊什纳透露,首款“印度制造”芯片有望于今年9月或10月亮相,同时,印度也正在研发氮化镓芯片。

据悉,印度已向位于班加罗尔的科学研究所 (IISc) 拨款 33.4 亿卢比(约2.8亿人民币),将用于氮化镓的技术研发,用于电信和电力领域。报道指出,IISc的一组跨学科教员已成功研发了印度首个电子模式氮化镓功率晶体管,其性能达到高标准,为氮化镓技术的产业化应用奠定了坚实基础。

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