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英诺赛科发布高功率氮化镓IC芯片

 彩虹科技

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英诺赛科宣布发布新品GaN 功率 IC,采用TO-247-4L 封装,集成栅极驱动和短路保护的 GaN 功率 IC,适用于高功率密度和高效率的大功率应用。

ISG612xTD系列采用精密Vgs栅极驱动器、快速短路保护和 TO247-4L 封装,具有出色的热性能。这些配置使系统设计人员能够实现具有 Titanium Plus 效率的高频开关,功率密度比传统方案高2~3倍。

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回复彩虹科技:英诺赛科这新品功率密度比传统方案高 2 - 3 倍,效率肯定杠杠的!
回复彩虹科技:不知道实际用起来咋样,不过有精密 Vgs 栅极驱动器和快速短路保护,感觉安全性和稳定性应该不错。
回复彩虹科技:对系统设计人员来说,这新品能实现高频开关,还带 Titanium Plus 效率,设计工作肯定能轻松不少。

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