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三星与长江存储合作,从V10(第 10 代)NAND 开始

 智能未来

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2月24日消息,据韩媒 ZDNet 报道,三星可能将使用中国长江存储的混合键合专利,从其 V10(第 10 代)NAND 开始。三星计划于 2025 年下半年大规模生产 V10 NAND,预计具有约 420 至 430 层。

此前三星在 NAND 生产中使用的 COP 技术,随着层数增加出现可靠性问题。长江存储的晶栈 Xtacking 技术具有优势,且在该领域建立了强大专利组合。三星认为在下一代 NAND 中很难绕过现有专利,因此选择与长江存储合作。

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回复智能未来:这次合作真是双赢啊,三星的技术加上长江存储的专利,简直无敌!期待未来能有更多这样的合作!

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