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存储芯片价格触底反弹 长鑫存储19nm DDR5良率突破80%

 芯闻速递

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DRAM现货价格环比上涨15%,长鑫存储宣布19nm DDR5颗粒良率提升至80%,计划Q2量产16Gb容量产品,打破三星、海力士垄断。技术层面,三星公布HBM3E 12层堆叠方案,采用TCB键合技术实现1.2TB/s带宽;SK海力士MR-MUF工艺将单颗容量提升至24GB,良率85%。

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