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美光1γ DRAM芯片投产,容量密度增加30%

 电子学者

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美光宣布,基于最新1γ纳米工艺的DDR5 DRAM内存芯片已经投产,性能、能效、密度等各项指标都大幅提升。

DRAM内存行业的节点工艺一直不标注具体数值,而是1a、1b、1c、1α、1β、1γ这样的迭代顺序,越来越先进,其中1a比较接近20nm,1γ则接近10nm。

美光的1γ DDR5单颗容量为16Gb(2GB),可以轻松组成单条容量128GB的企业级产品,号称容量密度比1β的再次增加30%,事实上之前每代提升工艺都能增加30%的密度。

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回复电子学者:自己没啥实力,全是偷别人的,难怪落后三星和SK海力士
回复电子学者:现在这些工艺都是实际完全不相符了看名称以为是多先进的工艺,其实还是成熟工艺

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