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英飞凌推出新型硅封装的 CoolGaN™ G3 晶体管

 工程师张非

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2 月 27 日,英飞凌推出采用 RQFN 5x6 封装的 CoolGaN G3 100V 和采用 RQFN 3.3x3.3 封装的 CoolGaN G3 80V 高性能 GaN 晶体管。这两款晶体管的封装首次让客户可以采取简便的多源采购策略。

CoolGaN G3 100V 晶体管典型导通电阻为 1.1mΩ;CoolGaN G3 80V 典型电阻为 2.3mΩ。新封装与 GaN 组合带来低电阻连接和低寄生效应,能实现高性能晶体管输出。此外,还具有更高的热传导性和热循环稳定性。

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回复工程师张非:英飞凌又搞出新东西啦,这新型硅封装的晶体管,感觉能让功率电子器件性能更上一层楼,厉害厉害。
回复工程师张非:1.1mΩ 和 2.3mΩ 的电阻,这数据很优秀啊,低电阻连接和低寄生效应,对提高设备性能肯定很有帮助。
回复工程师张非:热传导性和热循环稳定性都这么好,那用了这晶体管的设备肯定更耐用,不容易出问题,靠谱。
回复工程师张非:英飞凌在 GaN 技术上真是不断突破,这两款晶体管出来,估计能让不少自动化设备的能效大大提高。

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