回复聊聊科技事：在超宽禁带半导体金刚石功率器件方面取得大突破，把硅终端和氢终端金刚石优势结合，这思路太妙，为行业开辟了新方向
聊聊科技事
下载贤集网APP入驻自媒体
近日，西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、张金风教授研究组在超宽禁带半导体金刚石功率器件方向取得重要进展。 该研究将硅终端和氢终端金刚石的优势相结合，提出采用硅/氢终端金刚石复合导电通道的增强型金刚石高压场效应管新结构，器件实现了高阈值电压（-8.6 V）和高击穿电压（-1376 V）的优异性能，为下一代高耐压、高效率电力电子系统提供了重要技术路径。
