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2030年将实现1000层的闪存

 电子芯技术

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铠侠、三星都规划了1000层左右的未来闪存架构,预计2030年左右可以实现。

铠侠表示,从技术来讲,1000层以上的闪存堆叠是可以实现的,但是取得性能和成本之间的适当平衡非常重要,也看市场对闪存密度、容量、性能的综合需求,再去进行响应和开发。由于提高堆叠层数会大大增加成本,技术难度也较大,铠侠将推进包括水平方向在内的存储密度。

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回复电子芯技术:铠侠说 1000 层以上闪存堆叠技术能实现,不过性能和成本平衡才是关键,这话说得在理
回复电子芯技术:提高堆叠层数成本大增,技术难度还高,铠侠打算推进水平方向存储密度,这思路挺新颖,说不定能开辟新方向!
回复电子芯技术:市场对闪存密度、容量、性能有综合需求,看来这两家得根据市场反馈来决定怎么开发,得跟着消费者需求走。
回复电子芯技术:2030 年左右实现 1000 层架构,还有好几年时间,不知道这期间技术会有啥新突破,肯定很精彩。​

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