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打破垄断!国内实验室成功实现硅基氮极性氮化镓材料制备

 摩尔后时代

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据报道,九峰山实验室科研团队近日取得重大突破,成功在全球范围内首次实现了8英寸硅基氮极性氮化镓(N-polar GaNOI)高电子迁移率材料的制备。

这一里程碑式的成果不仅打破了国际技术垄断,更为射频前端等系统级芯片在频率、效率、集成度等方面的提升提供了强有力的技术支持,将推动下一代通信、自动驾驶、雷达探测、微波能量传输等前沿技术的快速发展。

氮化镓晶体结构的极性方向对器件性能和应用具有决定性影响,主要分为氮极性氮化镓和镓极性氮化镓两种极化类型。

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