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铁电材料在半导体研究中代表了一个前沿领域，具有为新型光电技术提供潜力的优势。AlScN材料是一种杰出的铁电半导体，具有强残余极化、高居里温度和主流半导体制造兼容性。然而，由于其有限的光敏性，实现多态光响应器仍然具有挑战性。鉴于此，中国科学院长春光学所Dabing Li、Xiaojuan Sun、Ke Jiang等制备了一种双端AlScN/p-i-n GaN异质结紫外光电突触，通过利用AlScN/p-GaN异质界面的孔捕获实现多态调制，从而克服了这一限制。 该新型结构基于AlScN的铁电特性，保持了优异的忆阻器特性，实现了9.36 × 105的开关比。更重要的是，该器件能够模拟人工视觉系统所需的突触特性，实现了93.7%的图像识别精度，并具有0.26的权重演化非线性。
