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未来X畅想
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继二维半导体芯片之后，复旦集成电路领域再获关键突破。 据介绍，复旦大学周鹏、刘春森团队通过构建准二维泊松模型，在理论上预测了超注入现象，打破了现有存储速度的理论极限，研制“破晓（PoX）”皮秒闪存器件。 其擦写速度可提升至亚1纳秒（400皮秒），相当于每秒可执行25亿次操作，性能超越同技术节点下世界最快的易失性存储SRAM技术。
