回复电子芯技术：全力支持和配合相关工作展开，高质量完成研究任务，为国家重大战略实施和研究所的高质量发展贡献力量。
电子芯技术
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4月14日，国家重点研发计划 “物态调控” 重点专项 “高MOS沟道迁移率及其低温电子输运与器件研究” 项目启动暨实施方案论证会在北京顺利召开。该项目由中国科学院半导体研究所牵头，联合北京大学和中国人民解放军国防科技大学共同承担，旨在发展硅 MOS 工艺下的量子器件，通过研制高品质的硅MOS栅极材料以及高迁移率的电子沟道来制备与集成量子器件，以大幅降低信息处理所需功耗，具有重要的科学意义和应用价值。
