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台积电透露2nm工艺缺陷率,比之前几代工艺都要好

 汤圆爱科技

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在近日举办的北美技术论坛上,台积电首次公开了N2 2nm工艺的缺陷率(D0)情况,比此前的7nm、5nm、3nm等历代工艺都好的多。

台积电没有给出具体数据,只是比较了几个工艺缺陷率随时间变化的趋势。

台积电N2首次引入了GAAFET全环绕晶体管,目前距离大规模量产还有2个季度,也就是要等到年底。N2试产近2个月来,缺陷率和同期的N5/N4差不多,还稍微低一点,同时显著优于N7/N6、N3/N3P。

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回复汤圆爱科技:每种制程步骤数量是不一样的,2nm比5nm多很多,每一步都要花钱

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