回复智者先行：不愧是三星！这技术储备太狠了，感觉又要引领内存新潮流
智者先行
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三星电子正在大力开发可接替HBM（高带宽内存）的下一代DRAM解决方案。其中，像PIM（Processing-In-Memory，存内计算）等部分技术，正处于半导体标准化组织中的规范讨论阶段，未来有望明确商用化路径。 三星电子大师级专家孙教民（音译）于13日上午在首尔江南举行的“第十届人工智能半导体早餐论坛”上发表了上述内容。 目前主要的下一代DRAM技术包括PIM、VCT（垂直晶体管通道）、CXL（Compute Express Link）、以及LLW（低延迟、高带宽）DRAM等。三星电子正针对不同的潜在客户和应用场景同步开发这些技术，为AI时代做好准备。
