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SK海力士321层4D NAND将于明年一季度量产上市

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SK海力士宣布,正在基于其321层堆叠4D NAND闪存的新一代UFS 4.1存储方案,将于2026年第一季度到来,可大大提升智能手机的存储性能。

SK海力士称,这种新的存储芯片厚度只有区区0.85毫米,比之前238层堆叠的1.0毫米又缩小了15%,而且依然可以维持高达4.3GB/s的最高持续读取速度。这样的性能,已经超过了最好的PCIe 3.0 SSD。

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回复电子放大镜:哇塞!SK 海力士这 UFS 4.1 太猛了,0.85 毫米厚还能保持超高速度,以后手机存储直接 “瘦身又变强”!​
回复电子放大镜:比 PCIe 3.0 SSD 还快,2026 年一季度上线,到时候新手机读写数据不得 “飞” 起来?​
回复电子放大镜:厚度又缩了 15%,这技术绝了!手机厂商以后做轻薄机型,可算有 “秘密武器” 了!​
回复电子放大镜:从 238 层干到 321 层堆叠,SK 海力士这技术迭代速度,直接把存储行业 “卷” 出新高度!​
回复电子放大镜:0.85 毫米厚的存储芯片,塞进手机里毫无压力,轻薄和高性能全都要,这波赢麻了!​
回复电子放大镜:又薄又快还能堆叠这么多层,SK 海力士这技术,怕是要让其他厂商连夜 “抄作业”!​
回复电子放大镜:以后拍 8K 视频、玩大型游戏,有这 UFS 4.1 存储,手机卡顿直接成 “过去式”!​
回复电子放大镜:才 0.85 毫米厚却这么能打,SK 海力士这波操作,妥妥的存储界 “六边形战士”!

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