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东芝树脂绝缘型SiC功率半导体模块技术可大幅提高碳化硅芯片散热

 汤圆爱科技

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近日,#东芝 发布公告表示,其基于自主研发的“小型芯片布局设计技术”和“基于AI设计优化技术”,开发出了一种“树脂绝缘型SiC功率半导体模块”,能显著提高使用“树脂”作为绝缘基板的SiC功率模块的功率密度(单位面积的功率处理能力)。

东芝介绍,无论何种绝缘类型(包括陶瓷)的功率模块都会发热,因此,当将其装入功率转换器时,需要冷却装置来散热并降低功率损耗。树脂绝缘基板具有比陶瓷更难散热的特性,因此需要大型冷却装置来保持高性能,但这又带来了另一个问题:设备尺寸会变得更大。

因此,东芝将模块上搭载的SiC功率半导体芯片的面积做得比以前更小,并增加了芯片的搭载数量,使其分布在整个模块上。由于芯片的散热面积呈放射状向模块底部的散热器方向扩散,因此,增加芯片数量可以扩大散热面积,从而提高热阻。

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回复汤圆爱科技:树脂绝缘难散热,东芝却想出奇招,缩小芯片增大数量,这创新思路值得点赞!
回复汤圆爱科技:东芝这次在树脂绝缘型 SiC 模块发力,要是量产,很多设备的性能都能跟着提升!
回复汤圆爱科技:东芝把 AI 用到芯片设计,优化树脂绝缘模块,以后设备不用大冷却装置也能稳运行

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