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未来晶体管设计可能弥补光刻机设备差距

 电子芯技术

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英特尔一位董事提出,未来晶体管设计(如GAAFET和CFET)可能降低芯片制造对先进光刻设备(尤其是EUV光刻机)的依赖。这一观点挑战了当前先进芯片制造的核心范式。

目前,ASML的极紫外(EUV)光刻机是制造高端芯片(如7nm及以下节点)的关键设备,它负责将极其微小的电路设计“打印”到硅晶圆上。

然而,该董事认为,像环绕栅极场效应晶体管(GAAFET)和互补场效应晶体管(CFET)这样的新型设计,将显著增加光刻之后制造步骤(特别是刻蚀技术)的重要性,从而削弱光刻在整体工艺中的主导地位。

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