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据报道，三星寄希望于其在1c DRAM领域的进展，希望扭转HBM4时代的颓势，并大幅提升了良率。据Sedaily报道，该公司最近在其第六代10纳米级DRAM（1c DRAM）晶圆的测试中实现了50%至70%的良率，较去年的不足30%的水平大幅提升。 值得注意的是，与SK海力士和美光坚持使用更为成熟的HBM4 1b DRAM不同，三星正在大胆押注下一代1c DRAM。据ZDNet报道，随着良率的稳步提升，该公司计划在其华城和平泽工厂提高1c DRAM的产量，投资预计将于年底开始。
