回复科技果汁：MIT 这波操作太牛了！把氮化镓晶体管和硅芯片三维集成，直接给半导体技术开了 “外挂”！
科技果汁
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近日，麻省理工学院（MIT）的研究团队取得了一项重大技术突破，开发出一种创新的制造工艺，能够将高性能氮化镓（GaN）晶体管与标准硅芯片进行三维集成。这一成果有望显著提升高频应用（如视频通话和实时深度学习）的性能表现，为半导体技术的发展开辟新的道路。 鉴于氮化镓高昂的成本以及与硅基芯片的兼容性问题，MIT团队提出了新制造方案，在氮化镓晶圆表面密集制造微型晶体管，切割成仅240×410微米的独立单元（称“dielet”），再通过铜柱低温键合技术，精准嵌入硅互补金属氧化物半导体（CMOS）芯片。 在实验中，团队制作的功率放大器芯片（面积不足0.5平方毫米）在无线信号强度和能效方面均超越了传统的硅基器件。这种混合芯片能够显著提升智能手机的通话质量、带宽和续航能力，同时降低系统的发热。
