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每当提及固态硬盘性能问题，总会出现以下一些名词，顺序读写、4K随机、缓外性能等等口径，其中争议颇大可能便是缓外性能了，更是鉴于不久前的西数SN550缓外性能一事，将原本较为深层硬核的SLC缓存技术，直接推到了风口浪尖。那么SLC缓存技术到底是什么？所谓缓外缓内速度到底有何差异？缓外性能对于用户而言，又有多大的意义？ 既然有缓外写入，自然便会有缓内写入。想要理解缓内缓外，我们需要从固态硬盘内部结构和发展逻辑聊起。所谓“缓”，指的便是固态硬盘内部的人为设计的高速缓存空间，也就是slc缓存区，至于为何要设置这一区域，实际上是一种性能和价格的妥协。 我们知道固态硬盘的核心架构便是闪存颗粒，根据闪存颗粒内部单位电荷数组成的不同，分为SLC、MLC、TLC、QLC以及即将问世的PLC，因其内部分别排列有单颗，双颗，三颗，四颗乃至五颗电荷数，有所区分。根据电磁学基本原理，颗粒内部电荷数越少，信号传输性能，抗干扰能力便越强，同时在制造成本上也越高，成反比。
