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芯片制造九大核心设备,中美差距到底有多大?

 科技之芯

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        在芯片领域,大家都觉得中国的技术很弱,但其实不是这样的,中国芯片技术不如美国很多,但双方的技术差距,也没大家想象的那么大。
        氧化扩散机,薄膜沉积设备,光刻机,涂胶显影机,刻蚀机,离子注入机,CMP抛光设备,检测设备,总共是八大设备,还有一个清洗机,贯穿多个工序,在这九大核心设备的领域,如果所有零件都采用纯粹的国产,不含一丝一毫的外国零件,那么中国到底能打造出什么程度的芯片产业链?

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一年前:单打独斗,中国永远也突破不了光刻机。一个月前:2030年,中国也做不出7nm的芯片。15天前:麒麟9000S是过去台积电制造的存货。现在:麒麟9000S和最先进的芯片有多少年的差距?
大概相差十年左右,设计角度看、英伟达之GPU的AI芯片全球领先(华为在追赶,约需五年),生产角度看、中芯国际可以生产14纳米芯片(含美国设备),与最先进的3纳米相差有十年吧;再看关键设备、如光刻机,我们刚宣布可以量产28纳米光刻机,距最先进的ASML的EUV光刻机差了一代多,还有关键材料、如高端光刻胶,差距也不小。综合起来看,差不多需要十年超越美帝!
就芯片制造来说,差距真的挺大的,单从设备来说,每一道工序都存在着代差,就算是国产设备,核心的parts,材料几乎都是国外的。还是需要认认真真的学习创新,花个30年看看。
国内芯片制造领域与米国有不小的差距。先总五年时间,缩小差距再图精进。
我估计中国国产芯片可能在5到8年内可以达到美当前的顶尖水准(14nm到7nm)。乐观的话甚至3年。
不出意外是没有机会,因为美国在芯片行业这一块已经接近物理尽头了,而且美国已经在研究量子芯片这一行列了,准备引领下一个行业,这就相当于你还在读小学,而人家已经准备博士后了,这个差距不是一般的大啊,诶!!!

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