电子放大镜
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北京大学电子学院彭练矛院士和邱晨光研究员课题组制备了10纳米超短沟道弹道二维硒化铟晶体管，首次使得二维晶体管实际性能超过Intel商用10 纳米节点的硅基Fin晶体管，并且将二维晶体管的工作电压降到0.5 V，这也是世界上迄今速度最快能耗最低的二维半导体晶体管。 本工作实现了三方面技术革新：采用高载流子热速度（更小有效质量）的三层硒化铟作沟道，实现了室温弹道率高达83%，为目前场效应晶体管的最高值，远高于硅基晶体管的弹道率（小于60%）；解决了二维材料表面生长超薄氧化层的难题，制备出2.6纳米超薄双栅氧化铪，将器件跨导提升到6 毫西•微米，超过所有二维器件一个数量级；开创了掺杂诱导二维相变技术克服了二维器件领域金半接触的国际难题，将总电阻刷新至124欧姆•微米，满足集成电路未来节点对晶体管电阻的要求。
